Компактные фотоэлектрические датчики Senpum PL-M/F со встроенным усилителем

Фотоэлектрические датчики SENPUM PL - серия ультракомпактных сенсоров со встроенным усилителем. Стабильное обнаружение. Прочность и долговечность
Модельный ряд серии
- Разделение по типу:
- С подавлением заднего фона (BGS reflective)
- На пересечении луча (Thrubeam)
- Разделение по исполнению (корпусу):
- Ультратонкий(торцевой) (Ultra-thin type)
- Плоский корпус (Flat type)
Информация для заказа фотоэлектрических датчиков со встроенным усилителем Senpum PL
- PLM51NФотоэлектрический датчик Senpum PL-M51N со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: На пересечении луча. Рабочее расстояние: 1500 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLM51PФотоэлектрический датчик Senpum PL-M51P со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: На пересечении луча. Рабочее расстояние: 1500 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLF51NФотоэлектрический датчик Senpum PL-F51N со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: На пересечении луча. Рабочее расстояние: 600 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLF51PФотоэлектрический датчик Senpum PL-F51P со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: На пересечении луча. Рабочее расстояние: 600 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLMB15NФотоэлектрический датчик Senpum PL-MB15N со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-15 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLMB15PФотоэлектрический датчик Senpum PL-MB15P со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-15 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLMB30NФотоэлектрический датчик Senpum PL-MB30N со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-30 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLMB30PФотоэлектрический датчик Senpum PL-MB30P со встроенным усилителем. Исполнение: ультратонкий (торцевой). Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-30 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLFB15NФотоэлектрический датчик Senpum PL-FB15N со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-15 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLFB15PФотоэлектрический датчик Senpum PL-FB15P со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-15 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLFB30NФотоэлектрический датчик Senpum PL-FB30N со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-30 мм. Выход: NPN. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67
- PLFB30PФотоэлектрический датчик Senpum PL-FB30P со встроенным усилителем. Исполнение: плоский корпус. Принцип работы: Подавление фона (BGS reflective). Рабочее расстояние: 1-30 мм. Выход: PNP. Питание 10-30 VDC. Степень защиты IP67